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“光電子集成芯片及其材料關(guān)鍵工藝技術(shù)”取得突破

點(diǎn)擊次數(shù):1468 更新時間:2017-12-21

【中國化工儀器網(wǎng) 技術(shù)前沿】光電子集成芯片及其材料關(guān)鍵工藝技術(shù)是新材料領(lǐng)域重要的發(fā)展方向之一,是未來高速大容量光纖通信、全光網(wǎng)絡(luò)、下一代互聯(lián)網(wǎng)、寬帶光纖接入網(wǎng)所廣泛依賴的技術(shù)。   “十二五”期間,863計(jì)劃新材料技術(shù)領(lǐng)域支持了“光電子集成芯片及其材料關(guān)鍵工藝技術(shù)”主題項(xiàng)目。近日,863新材料技術(shù)領(lǐng)域辦公室在北京組織專家對該主題項(xiàng)目進(jìn)行了驗(yàn)收。   “光電子集成芯片及其材料關(guān)鍵工藝技術(shù)” 項(xiàng)目針對光子集成中的關(guān)鍵問題,發(fā)展了新的器件結(jié)構(gòu)和集成方法,在單一芯片上研究了多波長解復(fù)用陣列波導(dǎo)光柵(AWG)與波導(dǎo)探測器陣列的耦合集成方法及工藝,有效解決了結(jié)構(gòu)和工藝兼容問題,實(shí)現(xiàn)了多波長并行高速波導(dǎo)探測器芯片集成;開展了硅基二氧化硅AWG、硅基PIN型可調(diào)光衰減器(VOA)器件制備工藝和集成芯片關(guān)鍵技術(shù)研究,制備出硅基AWG與VOA集成芯片。通過項(xiàng)目的產(chǎn)業(yè)化實(shí)用技術(shù)研究,形成16通道硅基平面光波回路型AWG芯片、VOA芯片的批量生產(chǎn)能力。   “十三五”期間,為進(jìn)一步推動我國材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展,瞄準(zhǔn)國家重大需求、技術(shù)和產(chǎn)業(yè)制高點(diǎn),科技部制定了《“十三五”材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項(xiàng)規(guī)劃》,在新材料技術(shù)發(fā)展方面,重點(diǎn)發(fā)展戰(zhàn)略性電子材料、先進(jìn)結(jié)構(gòu)與復(fù)合材料、新型功能與智能材料,滿足戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需求。   在戰(zhàn)略性電子材料發(fā)展方向中對光電子與微電子材料進(jìn)行了系統(tǒng)布局, 重點(diǎn)研究低維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)材料、半導(dǎo)體傳感材料與器件、新型高密度存儲與自旋耦合材料、高性能合金導(dǎo)電材料、微納電子制造用新一代支撐材料、高性能電磁介質(zhì)材料和無源電子元件關(guān)鍵材料、聲表面波材料與器件技術(shù)等。   編輯點(diǎn)評   “光電子集成芯片及其材料關(guān)鍵工藝技術(shù)”項(xiàng)目的產(chǎn)業(yè)化實(shí)用技術(shù)研究,形成16通道硅基平面光波回路型AWG芯片、VOA芯片的批量生產(chǎn)能力,為進(jìn)一步推動我國材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展提供了新的技術(shù)支撐。   (原標(biāo)題:“光電子集成芯片及其材料關(guān)鍵工藝技術(shù)”取得突破)

 

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